适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法

摘要

本发明属于半导体存储器制造技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法。本发明采用磁控溅射的方法，在SiO2或高介电常数介质（如Al2O3、HfO2）薄膜上淀积一层钯金属薄膜，然后经过高温快速热退火处理，从而在绝缘介质薄膜上形成密度为1011～1012cm-2的高密度钯纳米晶。该制备方法与标准CMOS工艺相兼容，操作简单，可控性好。

主权项

1.一种高密度钯纳米晶的制备方法，其特征在于：具体如下步骤：第一步、在硅衬底表面生长一层绝缘介质薄膜，厚度为4～10nm；第二步、采用磁控溅射方法淀积钯金属薄膜，厚度为1～4nm；磁控溅射所用的靶材为金属钯，溅射气体为氩气；溅射过程中，氩气的流量控制在10～50sccm范围内，腔内工作气压为0.5~1.2Pa，钯靶上所加载的直流功率控制在5~70W之间，衬底温度控制在20~350℃范围内，衬底转速为3~12rpm；第三步、对所得薄膜进行快速热退火，即得到密度为10¹¹～10¹²cm^-2的钯纳米晶颗粒；其热退火气氛为氮气；退火过程中，先在150~200℃维持2~5分钟，然后升温到600~900℃范围内任一温度，恒温10~60秒，升温速率为5~100℃/s。