| 发明名称 | 等离子体处理装置内结构体和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材(100)中形成有圆孔(101)，该圆孔(101)内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状的套筒(120)。套筒(120)以其顶部(121)位于圆孔(101)上端部的下侧规定距离的方式设置，使得套筒(120)与喷镀膜(110)不接触。在比顶部(121)更上侧的部分的圆孔(101)的侧壁部分上，形成有绝缘体层(130)。由喷镀膜(110)、套筒(120)、绝缘体层(130)构成覆盖基材(100)的上面(第一面)和圆孔(101)内侧面(第二面)的绝缘面。 | ||
| 申请公布号 | CN101271859B | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200710167432.1 | 申请日期 | 2007.10.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 樋熊政一;武藤慎司 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置内结构体，其配设在使等离子体作用于被处理基板而进行处理的处理腔室内，其特征在于，包括：至少具有第一面和第二面的基材；覆盖所述第一面的绝缘性的喷镀膜；覆盖所述第二面、由具有与所述基材不同的线膨胀系数的材料构成的绝缘性的保护部件；和以所述喷镀膜与所述保护部件没有接触部位的方式，设置在所述喷镀膜与所述保护部件之间的由绝缘体层覆盖的缓冲面，其中，所述第一面为载置所述被处理基板的载置面，所述第二面为设置在所述载置面中的孔的内侧面，所述保护部件为覆盖所述孔的内侧面的筒状体，由所述喷镀膜、所述保护部件和所述绝缘体层，构成覆盖所述基材的所述第一面与所述第二面的绝缘面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||