具有抑制的少数载流子注入的碳化硅结势垒肖特基二极管

摘要

本发明提供了阻挡结势垒肖特基(JBS)结构中内建PiN二极管的电流传导的整合结构。肖特基二极管可以与该PiN二极管串联结合，其中肖特基二极管与PiN二极管反向相反。串联电阻和绝缘层可设于PiN二极管和肖特基接触之间。本发明还提供了碳化硅肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管的制作方法，该碳化硅肖特基二极管包括设置于该二极管的漂移区内的碳化硅结势垒区域。该结势垒区域包括位于该二极管的漂移区内并具有第一掺杂浓度的第一碳化硅区域，以及位于该漂移区内并设置于该第一碳化硅区域和该肖特基二极管的肖特基接触之间的第二碳化硅区域。该第二碳化硅区域电学接触该第一碳化硅区域和该肖特基接触。该第二碳化硅区域具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

主权项

一种碳化硅结势垒肖特基二极管，包括：碳化硅漂移区；设置于所述碳化硅漂移区内并延伸到所述漂移区的表面的碳化硅结势垒区域，所述结势垒区域提供内建pn结以及包括位于所述二极管的n型漂移区内具有第一掺杂浓度的第一p型碳化硅区域；所述碳化硅漂移区上的肖特基接触；以及与所述二极管是整体的、用于阻挡所述结势垒区域的内建pn结的电流传导的装置；其中与所述二极管是整体的、用于阻挡所述结势垒区域的内建pn结的电流传导的所述装置包括串联电阻，所述串联电阻位于所述结势垒区域的内建pn结和所述结势垒肖特基二极管的肖特基接触之间，所述串联电阻由第二p型碳化硅区域提供，该第二p型碳化硅区域位于所述n型漂移区内，设置于所述第一p型碳化硅区域和所述结势垒肖特基二极管的肖特基接触之间并电接触所述第一p型碳化硅区域和所述肖特基接触，所述第二p型碳化硅区域具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度并与所述肖特基接触形成电阻性接触。