| 发明名称 | 晶体管的制造 | ||
| 摘要 | 一种例如高电子迁移率晶体管的晶体管的制造方法，每一个晶体管包括在共用衬底之上的多个外延层，该方法包括：(a)在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；(b)在第一表面上形成至少一个漏极接点；(c)在第一表面上形成至少一个栅极接点；(d)在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘层；(e)在至少一个绝缘层的至少一部分上形成导电层，以连接源极接点；以及(f)在导电层之上形成至少一个热沉层。 | ||
| 申请公布号 | CN101351887B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200680039046.8 | 申请日期 | 2006.09.01 |
| 申请人 | 霆激技术有限公司 | 发明人 | 袁述;康学军;林世鸣 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 一种制造晶体管的方法，每一个晶体管包括在共用衬底上的多个外延层，该方法包括：在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；在第一表面上形成至少一个漏极接点；在第一表面上形成至少一个栅极接点；在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘材料层，以绝缘栅极接点、源极接点和漏极接点；在至少一个绝缘层的至少一部分上并穿过其形成导电层，用于连接源极接点；在导电层上形成至少一个籽晶层；以及电镀至少一个籽晶层，以形成至少一个热沉层。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||