| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung halbleitender Germaniumkristalle mit AEtzvertiefungen fuer lichtelektrische Einrichtungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1014673(B) |
申请公布日期 |
1957.08.29 |
| 申请号 |
DE1952S027577 |
申请日期 |
1952.03.10 |
| 申请人 |
SYLVANIA ELECTRIC PRODUCTS INC. |
发明人 |
ROTHLEIN BERNARD J.;STAHL FRIEDA AXELROD |
| 分类号 |
B21J7/16;H01L21/00;H01L21/322;H01L27/146;H01L29/00;H01L31/00;H01L31/0236 |
主分类号 |
B21J7/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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