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一种电源保护电路，适用于一车用充电器，该车用充电器至少包含一驱动源，系输出一电源之电压至该电源保护电路，该电源保护电路包含：一切换开关，用以导通(on)或关闭(off)所接收之该电源之电压；一侦测元件，系连接于该切换开关，且该侦测元件用于侦测该电压是否高于一临界电压，以控制该切换开关导通或关闭；以及一保护电路(protection circuit)，系连接于该切换开关及该侦测元件，且该保护电路用于提供该切换开关及该侦测元件之电压限制保护，该保护电路系由一第一二极体与一第一电阻所组成，该第一二极体之一阴极端(cathode)连接至一电源线，该第一二极体之一阳极端(anode)系连接至一接地线，及该第一电阻之一第一端与该阴极端连接至该电源线之一端点；其中，当该车用充电器充电的过程中(during charging)，该侦测元件如果侦测到该电压高于该临界电压时，控制该切换开关呈关闭状态，藉此使该电源保护电路与该车用充电器所形成的一充电回路变成断路。如申请专利范围第1项所述之电源保护电路，其中该驱动源系一直流电源。如申请专利范围第1项所述之电源保护电路，其中该侦测元件系为一双载子接面电晶体(bipolar junction transistor)。如申请专利范围第3项所述之电源保护电路，其中该双载子接面电晶体系为PNP双载子接面电晶体。如申请专利范围第3项所述之电源保护电路，其中该双载子接面电晶体之一射极端系与该第一电阻之该第一端连接。如申请专利范围第5项所述之电源保护电路，其中该电源保护电路更包含一第二二极体。如申请专利范围第6项所述之电源保护电路，其中该第二二极体之一阴极端连接至该第一电阻之一第二端，且该第二二极体之一阳极端系连接至该接地线。如申请专利范围第6项所述之电源保护电路，其中该临界电压系由该第二二极体所设定。如申请专利范围第7项所述之电源保护电路，其中该电源保护电路更包含一第二电阻。如申请专利范围第9项所述之电源保护电路，其中该第二电阻之一第三端连接于该双载子接面电晶体之一基极端及该第二电阻之一第四端连接于该第二二极体之该阴极端。如申请专利范围第1项所述之电源保护电路，其中该第一二极体系为一稽纳二极体(zener diode)。如申请专利范围第6项所述之电源保护电路，其中该第二二极体系为一稽纳二极体。如申请专利范围第7项所述之电源保护电路，其中该切换开关系为一金氧半导体电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)。如申请专利范围第13项所述之电源保护电路，其中该金氧半导体电晶体之源极端(source)、闸极端(gate)及汲极端(drain)系分别连接该双载子接面电晶体之一集极端、该第一电阻之该第二端及该驱动源之输出端。如申请专利范围第13项所述之电源保护电路，其中该金氧半导体电晶体系为P-型的MOSFET。 |
