| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体元件，其具备：第1导电型的硅基板(2a)，具有第1面(S1a)和第2面(S2a)；第2导电型的硅层(4a)，设置在硅基板(2a)的第1面(S1a)上，并具有位于和硅基板(2a)相接合的面的相对侧的第3面(S3a)；第1电极(12a)，设置在第2面(S2a)上；第2电极(14a)，设置在第3面(S3a)上；氩添加区域(6a)，形成在由硅基板(2a)以及硅层(4a)构成的半导体区域中；其中，氩添加区域(6a)包括氩浓度显示为1×1018cm-3以上、2×1020cm-3以下的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101132045B | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200710146678.0 | 申请日期 | 2007.08.24 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 楚树成;菅博文 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，具备：第1导电型的硅基板，具有第1面和位于该第1面的相对侧的第2面；第2导电型的硅层，设置在所述硅基板的所述第1面上，并且具有位于和该硅基板相接合的面的相对侧的第3面；第1电极，设置在所述第2面上；第2电极，设置在所述第3面上；氩添加区域，形成在由所述硅基板以及所述硅层构成的半导体区域中，其中，所述氩添加区域包括氩浓度显示为1×1018cm-3以上且2×1020cm-3以下的区域。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||