发明名称 一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法
摘要 针对目前工业生产多晶硅过程中产生污染环境的SiCl4,用热氢化法将其转化为生产多晶硅原料SiHCl3,存在一次转化率低、能耗高、设备投资大,及用SiCl4生产白炭黑经济效益远低于多晶硅的问题,本发明为企业提供一种转化四氯化硅制取SiHCl3和多晶硅方法,是以氢气或氢气与氩气混合气为等离子体工作气体,送入等离子体发生器,在强电场作用下通过电弧放电形成温度为4000K以上的热等离子体射流,诱导反应器中的SiCl4发生还原反应,将SiCl4转化为SiHCl3和多晶硅;突出优点是工艺成熟、能耗低,设备投资小,主产SiHCl3、联产多晶硅、副产HCl,有效消除四氯化硅环境污染,提高经济效益。
申请公布号 CN101254921B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200810045015.4 申请日期 2008.03.19
申请人 四川金谷多晶硅有限公司 发明人 印永祥;任永平
分类号 C01B33/107(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 刘世权
主权项 一种转化四氯化硅制取SiHCl3和多晶硅方法,是以氢气或氢气与氩气的混合气为等离子体工作气体,送入等离子体发生器,在强电场的作用下通过电弧放电,形成温度为4000K以上的热等离子体射流,诱导反应器中的SiCl4发生还原反应,将SiCl4转化为SiHCl3、多晶硅和HCl;包括如下步骤:第一步,将氢气或氢气与氩气的混合气作为工作气体,输入等离子体发生器,产生温度为4000K-15000K的等离子体射流,并将其引入反应器;第二步,将原料SiCl4喷入反应器,与热等离子体射流混合,使反应器中的混合气温度升至1200K-3500K,热等离子体射流中的氢与四氯化硅发生还原反应,生成SiHCl3、多晶硅和HCl;第三步,将反应器中的反应尾气,包括:完成还原反应的SiHCl3、多晶硅和HCl,尚未反应的SiCl4,工作气中的氢气或氢气与氩气的混合气,从反应器中引至气体缓冲容器,通过体积膨胀使反应尾气降温至1000K-1500K,反应尾气中的多晶硅沉积于气体缓冲容器的底部,并将其收集;第四步,将反应尾气与原料四氯化硅输送管路换热,使反应尾气的温度降至400K-600K;第五步,将降温后的尾气通过冷凝器,使所含SiHCl3和残余SiCl4气体在280K-300K温度下液化;第六步,将液化的SiHCl3和SiCl4的混合液送入分馏塔进行分馏,将分馏后的SiHCl3和SiCl4液体分别送入各自的贮罐中贮存;第七步,将未液化的氢气、HCl或氢气、氩气和HCl的混合气体,由冷凝器的出气口输送至多晶硅生产厂的尾气处理系统,进行分离处理并分别贮存。
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