| 发明名称 | 存储器装置及其损耗平均方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种包括NVRAM和页表的存储器装置以及该装置的损耗平均方法。页表包括将NVRAM的虚拟地址映射到NVRAM的物理地址的映射信息。页表的项包括指示对应页的损耗的年龄信息。年龄信息可为对应的页允许的写入操作的剩余次数。每当在页上写入数据时，该页允许的写入操作的剩余次数被减小。 | ||
| 申请公布号 | CN101799784A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010105764.9 | 申请日期 | 2010.02.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄珠荣;李美真;金弘国 |
| 分类号 | G06F12/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;薛义丹 |
| 主权项 | 一种存储器装置，包括：存储器，包括非易失性随机存取存储器；控制器，控制所述存储器，其中，控制器管理页表，所述页表包括将非易失性随机存取存储器的虚拟地址映射到非易失性随机存取存储器的物理地址的映射信息，所述页表的项包括指示非易失性随机存取存储器的对应页的损耗的年龄信息。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||