发明名称 高切割效率的切架
摘要 在此公开一种切架,其包括多个用于从基体材料上以预定倾斜角切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器,所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应,所述矩形单元件中的两个矩形单元件大体沿倾斜方向排列,以使得所述矩形单元件在每个矩形单元件的一个边处彼此接触,其中假设当所述矩形单元件在每个矩形单元件的左边或右边彼此对齐时,最左端虚构顶点的坐标为(Ax,Ay),且最右端虚构顶点的坐标为(Bx,By),则在切割面积率高于该虚构阵列的阵列中,最右端顶点的坐标(B′x,B′y)基于最左端虚构顶点的坐标(Ax,Ay)而大于所述最右端虚构顶点的坐标(Bx,By)。
申请公布号 CN101795834A 申请公布日期 2010.08.04
申请号 CN200880106007.4 申请日期 2008.08.27
申请人 LG化学株式会社 发明人 李镐敬;许淳基;崔在仁
分类号 B26F1/44(2006.01)I 主分类号 B26F1/44(2006.01)I
代理机构 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人 黄威;张小花
主权项 一种切架,其包括多个用于从基体材料上以预定倾斜角切割一种或更多种具有较小尺寸的矩形单元件的切割器,所述切割器安装或形成在所述切架中以使得所述切割器与所述矩形单元件相对应,所述矩形单元件中的两个矩形单元件大体沿倾斜方向排列,以使得所述矩形单元件在每个矩形单元件的一个边处彼此接触,其中假设当所述矩形单元件在每个矩形单元件的左边或右边彼此对齐时,最左端虚构顶点的坐标为(Ax,Ay),且最右端虚构顶点的坐标为(Bx,By),则在切割面积率高于虚构阵列的阵列中,最右端顶点的坐标(B′x,B′y)基于所述最左端虚构顶点的坐标(Ax,Ay)而大于所述最右端虚构顶点的坐标(Bx,By)。
地址 韩国首尔
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