制作P型衬底硅片的方法以及测量温度的方法和装置

摘要

本发明涉及半导体芯片工艺技术领域，特别涉及一种制作P型衬底硅片的方法以及测量温度的方法和装置，用于提高在金属淀积后退火工艺中检测问题的准确性。本发明实施例的方法包括：将P型衬底硅片与处于恒温的实体持续接触；在所述P型衬底硅片与所述实体持续接触一设定时间后，确定所述P型衬底硅片的当前阻值；根据预先设置的阻值和温度的对应关系，确定所述P型衬底硅片的当前阻值对应的温度；将确定的所述温度作为所述实体处于恒温的温度。采用本发明实施例的方法能够提高生产的半导体晶圆的稳定性和生产的效率。

主权项

一种制作P型衬底硅片的方法，其特征在于，该方法包括：选取电阻率范围为15ohm/cm～20ohm/cm的P型衬底硅片；对选取的所述P型衬底硅片采用离子注入的方式注入磷离子；其中，所述P型衬底硅片中的磷离子的剂量范围为：5×1013ions/cm2～5×1014ions/cm2；在对所述P型衬底硅片进行离子注入时所使用的能量范围为：50KEV～200KEV。