绝缘膜形成用组成物及其制造方法，暨二氧化矽系绝缘膜之形成方法

摘要

本发明之绝缘膜形成用组成物，系含有：在(B)成分存在下，将(A)成分施行水解缩合而所获得的水解缩合物；及有机溶剂；其中，该(B)成分系主链为由－(Si－CH2)x－所示构造，且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳矽烷；该(A)成分系从下述一般式(1)~(3)所示化合物组群中至少选择1种之矽烷化合物。;RaSi(OR1)4－a………(1) Si(OR2)4………(2) R3b(R4O)3－bSi－(R7)d－Si(OR5)3－cR6c………(3);(式中，R8系指选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。);(式中，R9及R10系指相同或互异，且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。);(式中、R11~R13系指相同或互异，且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、醯氧基所构成组群中的基。)

主权项

1.一种绝缘膜形成用组成物，系含有：在(B)成分存在下，将(A)成分施行水解缩合而所获得的水解缩合物；以及有机溶剂；上述水解缩合系在硷性触媒、酸性触媒或金属螯合触媒之存在下实施，上述水解缩合中，上述(B)成分及上述(A)成分之合计量浓度为1~30重量%，相对于将上述(A)成分换算为(A)成分的完全水解缩合物之100重量份，上述(B)成分系为1~1000重量份；上述(B)成分系主链具备-(Si-CH2)x-所示构造，且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳矽烷；上述(A)成分系从下述一般式(1)~(3)所示化合物组群中至少选择1种之矽烷化合物；RaSi(OR 1 )4-a………(1)(式中，R系指氢原子、氟原子、碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；R 1 系指碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；a系指1~2之整数；)Si(OR 2 )4………(2)(式中，R 2 系指碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；)R 3 b(R 4 O)3-bSi-(R 7 )d-Si(OR 5 )3-cR 6 c………(3)(式中，R 3 ~R 6 系相同或互异，分别为碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；b与c系相同或互异，表示0~2之数值；R 7 系指氧原子、伸苯基或-(CH2)m-所示之基(其中，m系指1~6之整数)；d系指0或1；)(式中，R 8 系指选择自氢原子、羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙醯氧基及苄氧基所构成组群中的基；)【化15】(式中，R 9 及R 10 系相同或互异，表示选择自氢原子、羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙醯氧基及苄氧基所构成组群中的基；)(式中、R 11 ~R 13 系相同或互异，表示选择自氢原子、羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙醯氧基及苄氧基所构成组群中的基)。 ;2.如申请专利范围第1项之绝缘膜形成用组成物，其中，上述(B)成分的分子中，上述一般式(4)所示构造系5~20莫耳%，上述一般式(5)所示构造系5~20莫耳%，上述一般式(6)所示构造系20~50莫耳%，上述一般式(7)所示构造系30~60莫耳%。 ;3.如申请专利范围第1项之绝缘膜形成用组成物，其中，上述(B)成分的聚苯乙烯换算重量平均分子量系700~10,000。 ;4.如申请专利范围第1项之绝缘膜形成用组成物，其中，上述(B)成分在分子中并未含除上述一般式(4)~(7)所示构造中所存在的矽原子之外的其他矽原子。 ;5.如申请专利范围第1项之绝缘膜形成用组成物，其中，上述硷性触媒系下述一般式(8)所示含氮化合物；(X 1 X 2 X 3 X 4 N)aY………(8)(式中，X 1 、X 2 、X 3 、X 4 系相同或互异，分别表示选择自氢原子、碳数1~20之烷基、羟烷基、芳基及芳烷基所构成组群中的基；Y系指氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或1~4价之羟基；a系指1~4之整数)。 ;6.一种绝缘膜形成用组成物之制造方法，系含有水解缩合物与有机溶剂的绝缘膜形成用组成物之制造方法，其特征为，包含在(B)成分存在下，将(A)成分施行水解缩合而获得上述水解缩合物的步骤；上述水解缩合系在硷性触媒、酸性触媒或金属螯合触媒之存在下实施，在上述步骤中，相对于将上述(A)成分换算为(A)成分的完全水解缩合物之100重量份，使用上述(B)成分1~1000重量份；上述(B)成分系主链具备-(Si-CH2)x-所示构造，且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳矽烷；上述(A)成分系从下述一般式(1)~(3)所示化合物组群中至少选择1种之矽烷化合物； RaSi(OR 1 )4-a………(1)(式中，R系指氢原子、氟原子、碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；R 1 系指碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；a系指1~2之整数；)Si(OR 2 )4………(2)(式中，R 2 系指碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；)R 3 b(R 4 O)3-bSi-(R 7 )d-Si(OR 5 )3-cR 6 c………(3)(式中，R 3 ~R 6 系相同或互异，分别为碳数1~5之烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、萘基、甲基苯基、乙基苯基、氯苯基、溴苯基或氟苯基；b与c系相同或互异，表示0~2之数值；R 7 系指氧原子、伸苯基或-(CH2)m-所示基(其中，m系指1~6之整数)；d系指0或1；)【化18】(式中，R 8 系指选择自氢原子、羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙醯氧基及苄氧基所构成组群中的基；)(式中，R 9 及R 10 系相同或互异，表示选择自氢原子、羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙醯氧基及苄氧基所构成组群中的基；)(式中、R 11 ~R 13 系相同或互异，表示选择自氢原子、羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙醯氧基及苄氧基所构成组群中的基)。 ;7.如申请专利范围第6项之绝缘膜形成用组成物之制造方法，其中，上述(B)成分的分子中，上述一般式(4)所示构造系5~20莫耳%，上述一般式(5)所示构造系5~20莫耳%，上述一般式(6)所示构造系20~50莫耳%，上述一般式(7)所示构造系30~60莫耳%。 ;8.如申请专利范围第7项之绝缘膜形成用组成物之制造方法，其中，上述硷性触媒系下述一般式(8)所示含氮化合物；(X 1 X 2 X 3 X 4 N)aY………(8)(式中，X 1 、X 2 、X 3 、X 4 系相同或互异，分别表示选择自氢原子、碳数1~20之烷基、羟烷基、芳基及芳烷基所构成组群中的基；Y系指氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或1~4价之羟基；a系指1~4之整数)。 ;9.一种二氧化矽系绝缘膜之形成方法，系包含有：将申请专利范围第1至5项中任一项之绝缘膜形成用组成物涂布于基板上，以形成涂膜的步骤；以及针对上述涂膜，至少施行从加热、电子束照射、紫外线照射及氧电浆中所选择之1种硬化处理的步骤。