| 发明名称 | 高速抛光法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在抛光介质的存在下，用抛光垫对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光的方法。所述基片固定在具有无沟道表面的支架固定装置之内。所述方法包括在与抛光垫的抛光表面相邻并平行的位置将基片固定在具有无沟道的表面的支架固定装置中。所述抛光垫包括多个具有高速路径的凹槽。该方法包括在与支架固定装置相邻的位置，将抛光介质施加于抛光垫；使得抛光垫和支架固定装置旋转，用抛光垫和抛光介质对基片进行抛光，其中，所述支架固定装置的无沟道的表面压在抛光垫上，阻止抛光介质流入基片之内，高速沟槽路径与支架固定装置横交，以促进抛光介质流向基片。 | ||
| 申请公布号 | CN101758446A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910265961.4 | 申请日期 | 2009.12.22 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 | 发明人 | G·P·马尔多尼 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)N | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋;周承泽 |
| 主权项 | 一种在抛光介质的存在下，用抛光垫对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光的方法，所述基片固定在支架固定装置之内，所述支架固定装置具有无沟道的表面，所述方法包括：a)在与抛光垫的抛光表面相邻并平行的位置将所述基片固定在具有无沟道的表面的支架固定装置中，所述抛光垫具有多条凹槽，所述多条凹槽具有高速路径，至少50％的高速路径在凹槽轨迹φ(r)的20％以内，凹槽的轨迹φ(r)用相对于抛光垫的同轴中心为基点的极坐标表示，并用以下参数(1)抛光垫同轴中心和进行抛光的基片旋转中心之间的距离R，(2)支架固定装置的半径Rc，以及(3)支架固定装置中假想凹槽的局部角θc0，定义如下： <mrow> <mi>φ</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>r</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <munderover> <mo>∫</mo> <mrow> <mi>R</mi> <mo>-</mo> <msub> <mi>R</mi> <mi>C</mi> </msub> </mrow> <mi>r</mi> </munderover> <mfrac> <mrow> <mfrac> <mi>R</mi> <msub> <mi>R</mi> <mi>C</mi> </msub> </mfrac> <mi>sin</mi> <msub> <mi>φ</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>tan</mi> <msub> <mi>θ</mi> <mrow> <mi>c</mi> <mn>0</mn> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mi>R</mi> <msub> <mi>R</mi> <mi>C</mi> </msub> </mfrac> <mi>cos</mi> <msub> <mi>φ</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mi>R</mi> <msub> <mi>R</mi> <mi>C</mi> </msub> </mfrac> <mi>cos</mi> <msub> <mi>φ</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>tan</mi> <msub> <mi>θ</mi> <mrow> <mi>c</mi> <mn>0</mn> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mfrac> <mi>R</mi> <msub> <mi>R</mi> <mi>C</mi> </msub> </mfrac> <mi>sin</mi> <msub> <mi>φ</mi> <mi>c</mi> </msub> </mrow> </mfrac> <mfrac> <mrow> <mi>d</mi> <msup> <mi>r</mi> <mo>′</mo> </msup> </mrow> <msup> <mi>r</mi> <mo>′</mo> </msup> </mfrac> </mrow>其中对于(R-RC)至(R+RC)的r值， <mrow> <msub> <mi>φ</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>=</mo> <msup> <mi>cos</mi> <mrow> <mo>-</mo> <mn>1</mn> </mrow> </msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <msup> <mi>R</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>+</mo> <msubsup> <mi>R</mi> <mi>C</mi> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msup> <mi>r</mi> <mn>2</mn> </msup> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mi>R</mi> <msub> <mi>R</mi> <mi>C</mi> </msub> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <mi>π</mi> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>b)在与支架固定装置相邻的位置，将抛光介质施加于抛光垫；c)使得抛光垫和支架固定装置旋转，用抛光垫和抛光介质对基片进行抛光，其中，所述支架固定装置的无沟道的表面压在抛光垫上，阻止抛光介质流入基片之内，高速沟槽路径与支架固定装置横交，以促进抛光介质流向基片。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||