| 发明名称 | 制备薄膜光伏器件的方法和薄膜光伏器件 | ||
| 摘要 | 一种薄膜光伏器件和制备该器件的方法，所述器件包括：第一掺杂型的黄铜矿半导体的第一层；通过化学气相沉积沉积的本征氧化锌的第二层；通过化学气相沉积之外的方法沉积的与第一掺杂型相对的第二掺杂型的氧化锌半导体的第三层；和其中第二层设置在第一层和第三层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101346823B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200680048524.1 | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 壳牌可再生能源有限公司 | 发明人 | T·尼森;V·普罗布斯特 |
| 分类号 | H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/072(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王长青 |
| 主权项 | 一种制备薄膜光伏器件的方法，包括如下步骤：a)提供第一掺杂型的黄铜矿半导体的第一层；b)在步骤a)之后，通过化学气相沉积沉积本征氧化锌的第二层；和c)在步骤b)之后，通过化学气相沉积之外的方法沉积与第一掺杂型相对的第二掺杂型的氧化锌半导体的第三层。 | ||
| 地址 | 德国汉堡 | ||