| 发明名称 | 一种Ga<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>相变记忆元件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种Ga2Te3相变记忆元件及其制备方法，采用Ga2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述Ga2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层Ga2Te3薄膜夹在顶电极膜与底电极膜之间构筑而成，由顶电极膜和底电极膜分别接出用金丝或铜丝制成引线。本发明在测试中实现了开关效应，具有如下特性：Ga2Te3薄膜结晶态与非晶态的电阻值差异明显，可以达到3～4个数量级；相变速度/读写速度快且工作电压低，所需的电压脉冲达到了ns量级；可以在高低阻态之间进行多次循环转变。 | ||
| 申请公布号 | CN101752498A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910233902.9 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 朱颢;殷江;夏奕东;刘治国 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种Ga2Te3相变记忆元件，其特征是采用Ga2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述Ga2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层Ga2Te3薄膜(13)夹在顶电极膜(14)与底电极膜(11)之间构筑而成，由顶电极膜(14)和底电极膜(11)分别接出用金丝或铜丝制成引线；底电极膜(11)和顶电极膜(14)材料为铂Pt或金Au，厚度在100纳米至1微米之间。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市汉口路22号 | ||