发明名称 TFT LCD像素结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种TFT LCD像素结构,包括:基板;形成在基板上的栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极,其中栅扫描线或信号线在栅扫描线与信号线交叉的位置处断开;绝缘层,覆盖在栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极上方,并在栅扫描线或信号线断开位置的两端形成连接过孔,在源极和漏极上形成连接过孔;有源层和欧姆接触层,依次形成在栅极上方的绝缘层上,且通过连接过孔与源极和漏极连接;像素电极,其与漏极连接;欧姆接触层的保护层;沟道;以及栅扫描线或信号线的连接线,其通过连接过孔将断开的栅扫描线或信号线连接起来。本发明同时公开了一种TFT LCD像素结构的制造方法。本发明能简化工艺流程,提高材料的利用率,减少浪费。
申请公布号 CN101393364B 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200710122158.6 申请日期 2007.09.21
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 武延兵;高文宝;王章涛;李欣欣
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 刘芳
主权项 一种TFT LCD像素结构,其特征在于,包括:一基板;一栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极,形成在所述基板上,其中所述栅扫描线或信号线在栅扫描线与信号线交叉的位置处断开;一绝缘层,覆盖在所述栅扫描线、栅极、信号线、源极和漏极上方,并在所述断开位置的两端形成栅扫描线或信号线连接过孔;在所述漏极上方的绝缘层上形成有漏极与像素电极连接的过孔;在所述源极和漏极上形成有源漏极与欧姆接触层连接的过孔;一有源层和欧姆接触层,依次形成在所述栅极上方的绝缘层上,且所述欧姆接触层通过所述源漏极与欧姆接触层连接过孔与所述源极和漏极连接;一像素电极,形成在所述栅扫描线和信号线交叉后定义的像素单元的绝缘层上,并通过所述漏极与像素电极连接的过孔与漏极连接;一欧姆接触层的保护层,形成在所述欧姆接触层上方;一沟道,截断所述欧姆接触层;以及一栅扫描线或信号线的连接线,通过所述栅扫描线或信号线的连接过孔将断开的栅扫描线或信号线连接起来。
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