发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit zwei Gräben
摘要
申请公布号 DE112007002739(A5) 申请公布日期 2010.06.02
申请号 DE200711002739T 申请日期 2007.10.22
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 ENICHLMAIR, HUBERT;SCHRANK, FRANZ;SCHREMS, MARTIN
分类号 H01L21/74;H01L21/762 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
主权项
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