| 发明名称 | 一种薄膜超声换能器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜超声换能器及其制备方法，该薄膜超声换能器包含电容换能器单元，所述的电容换能器单元由下至上包含电容第二电极(126)、绝缘层(125)、微气隙(130)、支撑部件(128)及压电第一电极(123)，其特征在于，该薄膜超声换能器由下至上还依次包含：位于压电第一电极(123)之上的压电层(122)、以及位于压电层(122)之上的压电第二电极(121)；所述支撑部件(128)为可弯曲的压电振动膜，其下方中心的内凹部位与所述绝缘层(125)一起形成一个封闭的微气隙空腔。本发明还提供了3种制备薄膜超声换能器的方法，由下至上依次制备各个部件，尤其提供了几种制备微气息的方式。 | ||
| 申请公布号 | CN101712028A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910238031.X | 申请日期 | 2009.11.13 |
| 申请人 | 中国科学院声学研究所 | 发明人 | 郝震宏;乔东海 |
| 分类号 | B06B1/06(2006.01)I | 主分类号 | B06B1/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人 | 杨小蓉 |
| 主权项 | 一种薄膜超声换能器，该薄膜超声换能器包含电容换能器单元，所述的电容换能器单元由下至上包含电容第二电极(126)、绝缘层(125)、微气隙(130)、支撑部件(128)及压电第一电极(123)，其特征在于，该薄膜超声换能器由下至上还依次包含：位于压电第一电极(123)之上的压电层(122)、以及位于压电层(122)之上的压电第二电极(121)；所述支撑部件(128)为可弯曲的压电振动膜，其下方中心的内凹部位与所述绝缘层(125)一起形成一个封闭的微气隙空腔。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所 | ||