| 发明名称 | 绝缘栅双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极晶体管占据小面积并且抑制热击穿。IGBT包括：n型半导体层(3)；以及集电极部，该集电极部形成在n型半导体层(3)的表面部分中。集电极部包括：n型缓冲区域(14)；以及p+型集电极区域(15)和n+型接触区域(18)，该p+型集电极区域(15)和n+型接触区域(18)被形成在n型缓冲区域(14)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101714573A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910179034.0 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 伊藤将之 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极晶体管，包括：衬底区域；以及集电极部，其形成在所述衬底区域的表面部分中，其中所述集电极部包括：缓冲区域；p+型区域，其形成在所述缓冲区域中；以及n+型区域，其形成在所述缓冲区域中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||