一种晶圆缺陷的修复方法

摘要

本发明提供一种晶圆缺陷的修复方法，修复由于苯并环丁烯氧化形成的氧化硅附着在晶圆表面产生的晶圆缺陷，首先将晶圆置入一个封闭的真空腔体，充入氩气，氩气在压力作用下产生电浆形态的蚀刻物种，并在强电场加速作用下轰击晶圆表面的氧化硅以及修复过程中沉积于晶圆表面的物质，从而达到修复目的。其中，氩气在压力作用下分解为氩离子。氩离子受强电场加速，形成高能量的离子流轰击晶圆表面的氧化硅，使氩离子与氧化硅发生物理碰撞，从而去除晶圆表面的氧化硅。与现有技术相比，一旦发现苯并环丁烯受到氧化时就采用本发明的修复方法，避免由于苯并环丁烯断裂造成晶圆报废，有效提高晶圆的良率。

主权项

一种晶圆缺陷的修复方法，修复由于苯并环丁烯氧化形成的氧化硅附着在晶圆表面产生的晶圆缺陷，其特征在于：将晶圆置入一个封闭的真空腔体，充入氩气，氩气在压力作用下产生电浆形态的蚀刻物种，并在强电场加速作用下轰击晶圆表面的氧化硅以及修复过程中沉积于晶圆表面的物质，从而达到修复目的。