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Herkömmliche Diodengleichrichter kranken gewöhnlich an einem hohen Leitungsverlust. Die vorliegende Erfindung offenbart einen Gate-gesteuerten Gleichrichter, der eine Netzspannungspolarität-Detektionsschaltung, eine Konstantspannungsquelle, einen Steuerkreis und einen Gate-gesteuerten Transistor umfasst. Die Netzspannungspolarität-Detektionsschaltung detektiert die Polarität der Netzspannung und steuert den Steuerkreis, um den Gate-kontrollierten Transistor zu öffnen oder zu sperren. Der Gate-gesteuerte Transistor kann ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) mit einem Gate, einer Source und einem Drain oder ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) mit einem Gate, einem Emitter und einem Kollektor sein. Die Konstantspannungsquelle wird durch externe Schaltkreise vorgegeben oder induziert und der Source des MOSFET oder dem Emitter des IGBT zugeordnet. Dank des niedrigeren Leitungsverlustes kann dieser Gate-gesteuerte Gleichrichter in Gleichrichtungsschaltkreisen verwendet werden, um die Gleichrichtungseffizienz zu erhöhen.
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