发明名称 Verfahren zur Herstellung eines MOSFET mit selbstjustiertem Damaszener-Gate
摘要
申请公布号 DE112004002107(B4) 申请公布日期 2010.05.06
申请号 DE200411002107T 申请日期 2004.10.08
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 TABERY, CYRUS E.;AHMED, SHIBLY S.;BUYNOSKI, MATTHEW;DAKSHINA-MURPHY, SRIKANTESWARA;KRIVOKAPIC, ZORAN;WANG, HAIHONG;YANG, CHIH-YUH;YU, BIN
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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