存储器晶胞、集成电路

摘要

本发明提供一种非易失性存储器晶胞及其制造方法。非易失性存储器晶胞包括：浮动栅，其位于半导体基底上方；第一电容，其包括第一电极板、浮动栅和电介质，电介质位于第一电极板和浮动栅之间；第二电容，其包括第二电极板、浮动栅和电介质，电介质位于第二电极板和浮动栅之间；第三电容，其包括第三电极板和第四电极板，其中第三电极板和第四电极板分别形成于半导体基底上的不同的金属层中；第一电容的第一电极板包括位于半导体基底中的第一掺杂区和第二掺杂区。非易失性存储器晶胞还包括晶体管，其包括位于半导体基底上方的栅电极，其中晶体管的源/漏极区连接至晶体管的第一掺杂区。

主权项

一种存储器晶胞，其特征在于，包括：半导体基底；浮动栅，其位于上述半导体基底上方；第一电容，其包括第一电极板、上述浮动栅和电介质，上述电介质位于上述第一电极板和上述浮动栅之间，上述第一电极板包括第一掺杂区和第二掺杂区，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区位于上述半导体基底中；第二电容，其包括第二电极板、上述浮动栅和电介质，上述电介质位于上述第二电极板和上述浮动栅之间，其中第二电极板位于上述半导体基底中；写入栅极，连接上述第二电极板；第三电容，其包括第三电极板、金属层间介电层和第四电极板，上述第三电极板和上述第四电极板分别形成于上述半导体基底上的不同的金属层中，并且上述第三电极板与上述浮动栅电连接，且第四电极板电连接至抹除栅极；以及晶体管，其包括：栅极，其位于上述半导体基底上方；第一源/漏极区和第二源/漏极区，其大体上对准于上述栅极的两相对侧壁，上述第二源/漏极区连接至上述第一电容的上述第一掺杂区。