发明名称 采用微机械加工热隔离结构的热式传感器及其制造方法
摘要 本发明的微机械加工的热隔离结构包括:硅片,硅片内的平底空腔,空腔上方的多孔单晶硅层,多孔单晶硅层表面的二氧化硅薄膜,以及多孔单晶硅层侧面和底部的无孔单晶硅层。多孔单晶硅层包括中心的矩形部分和边缘的伸出部分,伸出部分的一端固定于围绕空腔的硅片表层,另一端连接矩形部分,使其处于与硅片表面平行的悬挂状态。本发明利用上述热隔离结构制造红外温度传感器,可燃气体传感器,氧化和还原气体传感器,以及热式流量传感器。这些传感器具有灵敏度高,反应快,抗振动能力强,性能稳定,以及制造成本低等优点。
申请公布号 CN100595539C 申请公布日期 2010.03.24
申请号 CN200510088633.3 申请日期 2005.08.01
申请人 李韫言 发明人 涂相征;李韫言
分类号 G01K7/02(2006.01)I;G01F1/684(2006.01)I;G01N25/00(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I 主分类号 G01K7/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种用于热式传感器的微机械加工的单晶硅热隔离结构,其特征包括:一块硅片;处于硅片内,宽度300至1200微米,深度4至40微米的平底空腔;连接于硅片表层并处于空腔上方,厚度2至20微米,像是用宽100至400微米的排笔写成的十字形的多孔单晶硅层,十字包括中心的矩形部分和边缘的伸出部分;封闭多孔单晶硅层侧面和底部表面,厚度0.1至2微米的无孔单晶硅层;封闭多孔单晶硅层上部表面,厚度2000至8000埃的二氧化硅薄膜;以及四个对称分布,每个分别处于十字两条伸出部分之间,向下直通空腔,四壁覆盖有无孔单晶硅层的开口。
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