发明名称 快闪记忆体储存装置吸附结构
摘要 本创作为有关于一种快闪记忆体储存装置吸附结构,此快闪记忆体储存装置系运用在吸附金属物质上,其中该快闪记忆体储存装置系具有吸附体及盖体,而所述之吸附体本身系具有磁力特性,利用所产生的磁力能让快闪记忆体储存装置的任一接触面吸附于任何金属物质上,而盖体亦具有等同于吸附体的磁力特性,另外,于吸附体内侧面则披覆有防磁层,透过防磁层可供削减往该快闪记忆体储存装置内部之磁力线,如此,能让快闪记忆体储存装置的任何接触面透过磁性,吸附于任何金属物品上,以达到便利性。
申请公布号 TWM376796 申请公布日期 2010.03.21
申请号 TW098217597 申请日期 2009.09.24
申请人 华东承启科技股份有限公司 发明人 庄裕雄;江秋燕
分类号 G06F1/00 主分类号 G06F1/00
代理机构 代理人
主权项 一种快闪记忆体储存装置吸附结构,该快闪记忆体储存装置系运用于吸附于一金属物质上,其特征在于:该快闪记忆体储存装置系具有一供产生磁力之吸附体,于该吸附体内侧面系披覆有一供削减往该快闪记忆体储存装置内部之磁力线的防磁层,藉此,该吸附体之任意接触面皆可吸附于该金属物质上。
地址 台北县板桥市民生路1段3号12楼
您可能感兴趣的专利