| 发明名称 | 多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于一基材上形成一非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行一快速热退火制程，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为一多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明亦提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于一薄膜电晶体阵列(TFT Array)基材上形成一非晶铟锡氧化物薄膜。接着，图案化此非晶铟锡氧化物薄膜，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行一快速热退火制程，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短制程时间并提高产能。 | ||
| 申请公布号 | TWI322461 | 申请公布日期 | 2010.03.21 |
| 申请号 | TW093125996 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 舒芳安 |
| 分类号 | H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 代理人 | 蔡坤财 | |
| 主权项 | 一种多晶形铟锡氧化物薄膜(poly-crystal ITO thin film)的制造方法，包括下列步骤：于一基材上形成一非晶形铟锡氧化物薄膜(amorphous ITO thin film)；以及进行一快速热退火制程，以将该非晶形铟锡氧化物薄膜转换为一多晶形铟锡氧化物薄膜，其中该快速热退火制程系于400℃~700℃的条件下进行0.5分钟~6分钟。 | ||
| 地址 | 新竹市科学工业园区力行一路3号 | ||