控制方法、控制装置以及制造控制装置的方法

摘要

为了运行至少一个发射辐射的半导体器件(1)，产生脉冲形式的、在脉冲持续时间期间上升的工作电流(If)。为此在用于制造用于运行所述至少一个发射辐射的半导体器件的控制设备的方法中，确定热阻抗(Zth)的时间曲线，该热阻抗(Zth)对于所述至少一个发射辐射的半导体器件(1)来说是有代表性的。根据所确定的热阻(Zth)的时间曲线来确定要调节的工作电流(If)的曲线。此外，控制装置被如此构造，使得要调节的工作电流(If)的曲线分别在该脉冲持续时间期间被调节。

主权项

1.控制方法，其中为了运行至少一个发射辐射的半导体器件(1)，产生脉冲形式的、在脉冲持续时间(PD)期间上升的工作电流(If)。