一种太阳能电池

摘要

本实用新型提供了一种含有量子阱结构的太阳能电池，该电池结构为：从下至上包括背电极；p型锗衬底与n型锗外延层组成的底电池；n型GaAs层过渡层；下隧穿结；p型GaAs层、量子阱结构与n型GaAs层组成的中间电池；上隧穿结；p型GaInP层与n型GaInP层组成的顶电池；减反射膜和上电极，其中量子阱结构分为由三五簇半导体材料制成的量子阱层和势垒层，该太阳能电池能够扩展中间电池的吸收光谱，改善三个子电池间的电流匹配，提高电池的转换效率。

主权项

1.一种太阳能电池，其特征是电池结构为：从下至上包括背电极层(1)、底电池层、过渡层、下隧穿结层、中间电池层、上隧穿结层、顶电池层、减反射膜层(14)和上电极层(15)，其中：底电池层从下至上由p型Ge单晶衬底(2)与n型Ge外延层(3)组成；过渡层为n型GaAs层a(4)；下隧穿结层从下至上由重掺杂的n型GaAs层a(5)与重掺杂的p型GaAs层a(6)组成；中间电池层从下至上由p型GaAs层(7)、n型GaAs层b(9)以及夹在所述p型GaAs层(7)与n型GaAs层b(9)中间的量子阱结构(8)组成，所述量子阱结构(8)分为量子阱层和势垒层，量子阱层和势垒层均由三五簇半导体材料制成；上隧穿结层从下至上由重掺杂的n型GaAs层b(10)与重掺杂的p型GaAs层b(11)组成；顶电池层从下至上由p型GaInP层(12)与n型GaInP层(13)组成。