发明名称 微通道雪崩光电二极管
摘要 本发明的微通道雪崩光电二极管涉及半导体光敏器件,也就是具有内部信号放大的半导体雪崩光电二极管。所述微通道雪崩光电二极管可以用于在医学伽马层析x射线照相装置中记录超微弱的光脉冲直到单个光子、伽马量子和带电粒子,还用于辐射检测和原子物理实验。本发明的器件特征在于,雪崩光电二极管包括衬底和具有不同的电物理性能的半导体层,该半导体层在其间以及与衬底之间具有公共的界面,该雪崩光电二极管还设置有单独的固态区域的至少一个二维矩阵,该单独的固态区域形成在该二维矩阵中并实施为用于形成电势微深度的高导电的岛的形式。为了减小体积内产生电流并改善沿器件表面的电势分布的均匀性,固态区域位于两个额外的半导体层之间,该两个额外的半导体层相对于与它们具有公共界面的半导体层表现出高的电导率。所述发明使得可以在器件体内获得此电势分布形式,其允许光电子在单独的固态区域上收集。
申请公布号 CN101675532A 申请公布日期 2010.03.17
申请号 CN200780024920.5 申请日期 2007.05.31
申请人 泽科泰克影像系统新加坡有限公司 发明人 齐拉丁·Y·萨迪戈夫
分类号 H01L31/06(2006.01)I 主分类号 H01L31/06(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 屈玉华
主权项 1.一种雪崩光电二极管,包括衬底和具有不同的电物理性能的半导体层,所述半导体层在它们之间以及与衬底之间具有公共的界面,特征在于:在器件中存在由分离的固态区域组成的至少一个矩阵,所述固态区域具有增强的电导率并被具有一个和相同的导电类型的半导体材料围绕,从而所述固态区域处于两个额外的半导体层之间,所述额外的两个半导体层和与其具有公共界面的所述半导体层相比具有较高的电导率。
地址 新加坡新加坡