发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于不改变传递模的电力用半导体装置的整体的大小就可使散热性提高。半导体装置备有:具有第1主面(16)与第2主面(18)的金属块(4);形成于上述第1主面(16)上的凹部(20、22、24);在上述凹部的内侧固定于上述金属块(4)上的半导体元件(6);与上述第1主面(16)接触并将上述第1主面(16)覆盖的第1绝缘层(38);与上述第2主面(18)接触并将上述第2主面(18)覆盖的第2绝缘层(38)。 |
申请公布号 |
CN100594602C |
申请公布日期 |
2010.03.17 |
申请号 |
CN200510118643.7 |
申请日期 |
2005.11.01 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
筱原利彰 |
分类号 |
H01L23/367(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/367(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
温大鹏 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,备有:具有第1主面和与该第1主面相对的第2主面、且在该第1主面上形成有凹部的金属块;配置于上述凹部内、且安装于上述第1主面上的半导体元件;第1端子,使用金属板形成,与上述半导体元件电连接;与上述金属块电连接的第2端子;抵接于上述第1主面上、且沿着上述第1主面在上述凹部上延伸的第1绝缘部件;抵接于上述第2主面上的第2绝缘部件;至少将上述凹部内填充并使上述第1绝缘部件与上述第2绝缘部件露出的、由绝缘性材料构成的填充部件,上述第1端子夹持于上述半导体元件与上述第1绝缘部件之间。 |
地址 |
日本东京都 |