发明名称 |
光电转换装置 |
摘要 |
本发明目的之一在于:在光电转换装置中,将连接各个光电转换元件的布线的制造工序简化。本发明的另一目的在于防止连接各个光电转换元件的布线的连接不良。光电转换装置包括分别具有第一和第二单晶半导体层的第一和第二光电转换元件。第一电极设置在第一和第二光电转换元件的下方表面上,而第二电极设置在第一和第二光电转换元件的上方表面上。第一和第二光电转换元件并置固定在支撑衬底上。第二单晶半导体层具有到达第一电极的贯通口。第一光电转换元件的第二电极延伸到贯通口,以电连接到第二光电转换元件的第一电极。 |
申请公布号 |
CN101667569A |
申请公布日期 |
2010.03.10 |
申请号 |
CN200910170513.6 |
申请日期 |
2009.09.04 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
荒井康行 |
分类号 |
H01L25/04(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/04(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
刘 倜 |
主权项 |
1.一种光电转换装置,包括:固定到支撑衬底的上方表面上的第一光电转换元件及第二光电转换元件,其中,所述第一光电转换元件包括第一单晶半导体层、所述第一单晶半导体层的所述支撑衬底一侧的表面的下方表面上的第一电极、所述第一单晶半导体层的上方表面上的第二电极以及所述第一单晶半导体层的所述上方表面上的通过贯通所述第一单晶半导体层的贯通口接触于所述第一电极的第三电极,所述第二光电转换元件包括第二单晶半导体层、所述第二单晶半导体层的所述支撑衬底一侧的表面的下方表面上的第四电极、所述第二单晶半导体层的上方表面上的第五电极以及所述第二单晶半导体层的所述上方表面上的通过贯通所述第二单晶半导体层的贯通口接触于所述第四电极的第六电极,并且,所述第二电极从所述一单晶半导体层的所述上方表面延伸而连接到所述第六电极。 |
地址 |
日本神奈川 |