发明名称 铌合金半导体激光器
摘要 本发明公开了一种铌合金半导体激光器,其结构组件由结构件一(1),发光元件(2),导线一(3),外接引线一(4),结构件二(7),绝缘套管(8),外接引线二(9),外接引线三(10)组成,将发光元件(2)固定在结构件一(1)的位置上,将结构件一(1)固定在结构件二(7)位置上,将外接引线一(4)和外接引线三(10)穿过绝缘套管(8)后固定在结构件二(7)的相应通孔位置,将外接引线二(9)固定在结构件二(7)的相应通孔位置并导电性良好,用导线一(3)将发光元件(2)的负极和外接引线一(4)焊接连接起来。它具有结构简单,体积小,功率大,稳定性好,适用性强,使用方便,价格合理等特点。
申请公布号 CN101667712A 申请公布日期 2010.03.10
申请号 CN200910112377.5 申请日期 2009.08.17
申请人 福建交通职业技术学院 发明人 傅高升;林绍义
分类号 H01S5/00(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I 主分类号 H01S5/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.铌合金半导体激光器,其特征在于:结构组件由结构件一(1),发光元件(2),导线一(3),外接引线一(4),结构件二(7),绝缘套管(8),外接引线二(9),外接引线三(10)组成,将发光元件(2)固定在结构件一(1)的位置上,将结构件一(1)固定在结构件二(7)位置上,将外接引线一(4)和外接引线三(10)穿过绝缘套管(8)后固定在结构件二(7)的相应通孔位置,将外接引线二(9)固定在结构件二(7)的相应通孔位置并导电性良好,用导线一(3)将发光元件(2)的负极和外接引线一(4)焊接连接起来。
地址 350007福建省福州市仓山区首山路80号