制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法

摘要

本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为T_W的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长In_XGa_1-XN阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度T_W下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。在步骤S108中，在生长所述阻挡层之前，将所述炉子的温度由温度T_W变化至T_B。在将所述炉子的温度保持为温度T_B的同时，在时刻t8和t9之间在所述保护层上生长由氮化镓基半导体构成的阻挡层。

主权项

1.一种制造氮化物半导体光学器件的方法，包括如下步骤：在将生长炉内的温度保持为阱层生长温度的同时，在具有半极性主面的氮化镓基半导体区域上生长阱层，所述阱层构成有源层的一部分；在所述阱层的生长完成之后立即生长保护层，所述保护层覆盖所述阱层的主面；以及在生长所述保护层之后于阻挡层生长温度下在所述保护层的主面上生长阻挡层，所述阻挡层构成所述有源层的一部分，其中所述保护层的厚度小于所述阻挡层的厚度，所述阻挡层生长温度等于或高于第一温度，所述第一温度高于所述阱层生长温度，当所述生长炉内的温度达到所述第一温度时，开始所述阻挡层的生长，所述保护层的生长温度等于或高于所述阱层生长温度且低于所述第一温度，所述阱层由含铟的氮化镓基半导体构成，所述阻挡层由氮化物半导体构成，所述氮化物半导体的带隙能量比所述阱层的带隙能量高，所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量比所述阱层的带隙能量高，所述阱层的主面具有半极性面，所述保护层的主面具有半极性面，以及所述阻挡层的主面具有半极性面。