发明名称 Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Laseranordnung mit einem oberflächenemittierenden Halbleiterchip
摘要 <p>In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge (lambdap) reflektierend wirkt, und einen Schichtenstapel (4), der dazu ausgestaltet ist, die Primärstrahlung (P) zu emittieren und der zumindest zwei aktive Bereiche (5) aufweist. Ein Teil der Schichten der ersten Schichtenfolge (2) ist hierbei im Schichtenstapel (4) verteilt. Ein solcher oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip (1) weist geringe optische Verluste im Halbleiterlaserchip (1) auf und hat somit eine hohe Effizienz.</p>
申请公布号 DE102008038804(A1) 申请公布日期 2010.02.18
申请号 DE20081038804 申请日期 2008.08.13
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 LINDBERG, HANS;ILLEK, STEFAN
分类号 H01S5/18;H01S5/125 主分类号 H01S5/18
代理机构 代理人
主权项
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