发明名称 固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法,提供一种减少读出沟道的面积,且受光部(光电二极管)的表面积相对于一像素的面积的比例较大的CCD固体摄像元件。提供一种固体摄像元件,其特征在于,包括:第1导电型半导体层;形成在第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层;形成在第1导电型柱状半导体层的上部,且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域;以及与第1导电型柱状半导体的上端隔着规定间隔而形成在第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域,在第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极,在传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域,在第2导电型光电转换区域与第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。
申请公布号 CN101627475A 申请公布日期 2010.01.13
申请号 CN200780052071.4 申请日期 2007.12.26
申请人 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 发明人 舛冈富士雄;中村广记
分类号 H01L27/148(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I 主分类号 H01L27/148(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人 刘新宇;张会华
主权项 1.一种固体摄像元件,其特征在于,包括:第1导电型半导体层;形成在上述第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层;形成在上述第1导电型柱状半导体层的上部,且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域;与上述第1导电型柱状半导体层的上端隔着规定间隔而形成在上述第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域,在上述第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极,在上述传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域,在上述第2导电型光电转换区域与上述第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。
地址 日本东京都