发明名称 |
固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法,提供一种减少读出沟道的面积,且受光部(光电二极管)的表面积相对于一像素的面积的比例较大的CCD固体摄像元件。提供一种固体摄像元件,其特征在于,包括:第1导电型半导体层;形成在第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层;形成在第1导电型柱状半导体层的上部,且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域;以及与第1导电型柱状半导体的上端隔着规定间隔而形成在第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域,在第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极,在传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域,在第2导电型光电转换区域与第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。 |
申请公布号 |
CN101627475A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200780052071.4 |
申请日期 |
2007.12.26 |
申请人 |
日本优尼山帝斯电子股份有限公司 |
发明人 |
舛冈富士雄;中村广记 |
分类号 |
H01L27/148(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/148(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
1.一种固体摄像元件,其特征在于,包括:第1导电型半导体层;形成在上述第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层;形成在上述第1导电型柱状半导体层的上部,且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域;与上述第1导电型柱状半导体层的上端隔着规定间隔而形成在上述第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域,在上述第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极,在上述传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域,在上述第2导电型光电转换区域与上述第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。 |
地址 |
日本东京都 |