发明名称 |
互补型CMOS基准电压源 |
摘要 |
本发明公开了一种互补型CMOS基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所述CMOS基准电压源包括:参考电流产生电路,用于产生参考电流;NMOS管补偿产生电路,用于复制参考电流作为漏电流,产生与温度成反比例变化的栅源电压;PMOS管补偿产生电路,用于复制参考电流作为漏电流,产生与温度成正比例变化的栅源电压;比例求和电路,用于将正比例变化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和,产生不随温度变化的电压。本发明提供的纯CMOS工艺实现的基准电压源结构,利用NMOS和PMOS晶体管的不同漏电流区域的温度特性,将正比例变化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和,产生不随温度变化的参考电压。 |
申请公布号 |
CN101625575A |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200910304798.8 |
申请日期 |
2009.07.24 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司 |
发明人 |
范涛;袁国顺 |
分类号 |
G05F3/24(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1.一种互补型CMOS基准电压源,其特征在于,包括:参考电流产生电路,用于产生参考电流;NMOS管补偿产生电路,用于复制所述参考电流作为漏电流,产生与温度成反比例变化的栅源电压;PMOS管补偿产生电路,用于复制所述参考电流作为漏电流,产生与温度成正比例变化的栅源电压;比例求和电路,用于将所述正比例变化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和,产生不随温度变化的电压。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |