发明名称 |
修正光刻掩膜中缺陷的方法和装置 |
摘要 |
一种修正光刻掩膜中缺陷的方法,包括确定在原始掩膜上掩膜缺陷的存在,以及标识在所述原始掩膜上发现的各所述掩膜缺陷周围的可修补区域。封闭在所述原始掩膜上的各所述标识的可修补区域,以使在曝光所述原始掩膜期间,不印刷在所述可修补区域内的电路。形成修复掩膜,所述修复掩膜包括来自各所述标识的可修补区域的修正电路图形。 |
申请公布号 |
CN100578354C |
申请公布日期 |
2010.01.06 |
申请号 |
CN200510117519.9 |
申请日期 |
2005.11.02 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
J·W·阿基森;E·M·科克尔;C·K·马格;J·H·兰金;A·K·斯坦珀 |
分类号 |
G03F1/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
于 静;李 峥 |
主权项 |
1.一种修正光刻掩膜中缺陷的方法,所述方法包括以下步骤:确定在原始掩膜上掩膜缺陷的存在;标识在所述原始掩膜上发现的各所述掩膜缺陷周围的可修补区域;封闭在所述原始掩膜上的各所述标识的可修补区域,以使在曝光所述原始掩膜期间不印刷在所述可修补区域内的电路,其中所述封闭步骤还包括在所述原始掩膜上形成绝缘层,随后在各所述标识的可修补区域上镶嵌形成不透明材料;形成修复掩膜,所述修复掩膜包括来自各所述标识的可修补区域的修正电路图形,其中在所述修复掩膜上的相应位置形成来自所述原始掩膜的所述修正电路图形;利用所述原始掩膜进行第一曝光步骤;以及利用所述修复掩膜进行第二曝光步骤,其中所述第二曝光步骤在各所述标识的可修补区域中产生同时修正的电路图形。 |
地址 |
美国纽约 |