发明名称 |
具有降低的功率分配阻抗的互连模块及其制造方法 |
摘要 |
一种用于集成电路芯片的互连模块,包括一种高介电常数的嵌入式薄层电容结构,该结构能降低功率分配阻抗,从而促进工作频率的升高。该互连模块能通过连接焊球,可靠地将集成电路芯片固定到印刷线路板上,在工作频率超过1.0千兆赫时,提供小于或等于约0.60欧姆降低的功率分配阻抗。 |
申请公布号 |
CN100578774C |
申请公布日期 |
2010.01.06 |
申请号 |
CN02816537.3 |
申请日期 |
2002.08.22 |
申请人 |
3M创新有限公司 |
发明人 |
M·F·西尔维斯特;D·A·汉森;W·G·佩特菲西 |
分类号 |
H01L23/50(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
周承泽 |
主权项 |
1、一种互连模块,包括:芯片固定表面,它形成图案,以形成固定集成电路芯片的第一接触垫;板固定表面,它形成图案,以形成固定印刷线路板的第二接触垫;电容结构,具有第一导电层,第二导电层和位于第一和第二导电层之间的第一介电层,该第一导电层,第二导电层和第一介电层被层压在一起;位于第一导电层和芯片固定表面之间的第二介电层;位于第二导电层和板固定表面之间的第三介电层;和形成于互连模块中的一些导电路径,所述导电路径将许多第一接触垫互连到第一导电层,其中,每个电容导电层厚度是10到80微米,电容介电层厚度小于或等于8微米,介电常数大于或等于12,第一接触垫,导电路径和电容结构在频率大于或等于1.0千兆赫时,产生小于或等于0.60欧姆的合成阻抗,位于第二介电层和芯片固定表面之间的第三导电层和第四介电层;和位于第三介电层和板固定表面之间的第四导电层和第五介电层。 |
地址 |
美国明尼苏达州 |