制造半导体器件的方法

摘要

在辐射大范围输出激光束可选择性地辐射的情况下，可使用与常规不同的材料和结构的掩模来辐射激光束。本发明的一个特征是通过使用反射激光束的掩模来选择性地辐射将激光束。该掩模是由层迭至少第一材料和第二材料组成的迭层薄膜形成的。当第一材料的折射率为n1；第二材料的折射率为n2；且折射率满足n1＜n2时，为了用激光束从基片的上表面的一侧辐射，在基片上层迭非晶半导体薄膜、第一材料和第二材料。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在第一区域和第二区域形成非晶半导体薄膜；在第一区域形成作为掩模的迭层薄膜，所述迭层薄膜包括第一薄膜和第二薄膜，并在第二区域形成单层薄膜，所述单层薄膜是所述第一薄膜和第二薄膜中的一个；采用激光束辐射在第二区域的非晶半导体薄膜使非晶半导体薄膜结晶来形成晶体半导体薄膜，其中在第一区域中激光束由掩模反射；在第一区域形成包含部分非晶半导体薄膜的第一n-沟道薄膜晶体管；在第二区域形成包含部分晶体半导体薄膜的第二n-沟道薄膜晶体管和第三p-沟道薄膜晶体管；其中第一薄膜包含具有折射率n1的第一材料，第二薄膜包含具有折射率n2的第二材料，且折射率满足n1＜n2，以及迭层薄膜由在非晶半导体薄膜上依次层迭第一薄膜和第二薄膜而形成。