功率场效应管晶片弯曲的解决方法

摘要

本发明提出的功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，在P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸大于等于1.3um的光阻，对P型半导体基底的光阻的两侧区域进行N型离子注入，然后拿掉光阻并对N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，本发明所使用的光阻的特征尺寸从先前技术的0.7um增加到1.3um以上，这样因为较大特征尺寸的光阻的遮蔽，在离子注入之后，能够加大了两侧N离子注入区域的距离，就算在高温工序之后，两侧扩散的离子相连的部分也比较少，这样就能够减少凹陷接触区的蚀刻深度，有效的减少晶片弯曲的程度，从而保证了功率场效应管晶片制程的顺利完成。

主权项

1.一种功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于包括下列步骤：提供P型半导体基底；在上述P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸的光阻；对上述P型半导体基底的上述光阻的两侧区域进行N型离子注入；拿掉光阻并对上述N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，其中上述光阻的设定特征尺寸为大于等于1.3um。