| 发明名称 | Al-Ni-B合金布线材料及使用该材料的元件结构 | ||
| 摘要 | 本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n<sup>+</sup>-Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat％，硼含量设为硼的原子百分率Yat％时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.0；0.05≤Y≤11.0；Y+0.25X≥1.0；Y+1.15X≤11.5。 | ||
| 申请公布号 | CN100564560C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200680001532.0 | 申请日期 | 2006.03.30 |
| 申请人 | 三井金属鉱业株式会社 | 发明人 | 占部宏成;松浦宜範;久保田高史 |
| 分类号 | C22C21/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C22C21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 徐 迅 |
| 主权项 | 1、Al-Ni-B合金布线材料，它是用于显示器件的元件结构的Al-Ni-B合金布线材料，该元件结构具有由铝中含有镍和硼的Al-Ni-B合金布线材料所形成的布线电路层、半导体层和透明电极层，所述布线电路层具有与半导体层直接接合的部分，其特征在于，将镍含量设为镍的原子百分率Xat％，硼含量设为硼的原子百分率Yat％时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.00.05≤Y≤11.00Y+0.25X≥1.00Y+1.15X≤11.50。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||