| 发明名称 |
METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1931818(A4) |
申请公布日期 |
2009.12.02 |
| 申请号 |
EP20060824982 |
申请日期 |
2006.09.16 |
| 申请人 |
MISSISSIPPI STATE UNIVERSITY;KOSHKA, YAROSLAV |
发明人 |
KOSHKA, YAROSLAV |
| 分类号 |
C30B28/14;C01B31/36;C23C16/32 |
主分类号 |
C30B28/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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