发明名称 |
输入/输出垫结构 |
摘要 |
本发明公开一种集成电路的输入/输出垫结构,包括:一第一垂直区域于集成电路中,包括一顶金属层与一个或多个半导体元件于顶金属层下方,第一垂直区域的顶金属层作为一第一焊垫,半导体元件电性连接至第一焊垫;一第二垂直区域于集成电路中,包括顶金属层与一个或多个硅通孔于顶金属层下方,第二垂直区域的顶金属层作为一第二焊垫,且第二焊垫下方没有形成半导体元件,硅通孔电性连接至第二焊垫,其中第一焊垫与第二焊垫经由至少一金属层电性连接。本发明可将传统输入/输出垫结构用在三维集成电路的技术,而不需重新设计,具有应用灵活方便,并且成本较低的优点。 |
申请公布号 |
CN101582412A |
申请公布日期 |
2009.11.18 |
申请号 |
CN200910002060.6 |
申请日期 |
2009.01.12 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
蔡志升;王中兴 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈 晨;张浴月 |
主权项 |
1.一种输入/输出垫结构,适用于一集成电路,包括:一第一垂直区域于该集成电路中,该第一垂直区域包括一顶金属层与一个或多个半导体元件形成于该顶金属层下方,该第一垂直区域的该顶金属层作为一第一焊垫,所述半导体元件电性连接至该第一焊垫;一第二垂直区域于该集成电路中,该第二垂直区域包括该顶金属层与一个或多个硅通孔形成于该顶金属层下方,该第二垂直区域的该顶金属层作为一第二焊垫,且该第二焊垫下方没有形成半导体元件,该硅通孔电性连接至该第二焊垫;其中该第一焊垫与该第二焊垫经由至少一金属层电性连接。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |