| 发明名称 | 离子注入机中束缚电子的技术 | ||
| 摘要 | 揭示离子注入机中束缚电子的装置与方法。所述装置与方法包含：沿离子束路径(30)的至少一部分来定位的磁体的第一阵列(31)以及磁体的第二阵列(32)，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反。所述第一阵列中的至少一磁体(302)可具有面向所述第二阵列中的相应磁体(302)的相反磁极的磁极，磁体的所述第一与第二阵列可在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场以束缚电子。 | ||
| 申请公布号 | CN101584017A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200780050095.6 | 申请日期 | 2007.12.03 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 唐纳·L·史麦特雷克;葛登·C·恩吉尔;拉杰许·都蕾 |
| 分类号 | H01J37/02(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01J37/05(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 1、一种在离子注入机中束缚电子的装置，所述装置包含：沿离子束路径的至少一部分定位的磁体的第一阵列以及磁体的第二阵列，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反；其中所述第一阵列中的至少一磁体具有面向所述第二阵列中的相应磁体的相反磁极的磁极。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州 | ||