| 发明名称 | 绝缘体上硅器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘体上硅(SOI)器件及其制造方法。该器件包括由硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构构成的SOI基板。在该硅层中界定凹槽，使埋入氧化物层暴露。阻挡层形成于各凹槽的侧壁下部。外延硅层形成以填充该凹槽，并且覆盖该阻挡层。数个栅极形成于该外延硅层上，结区形成于该栅极两侧的硅层中。在本发明中，SOI器件的电荷存储容量改善，导致改善感测容限。 | ||
| 申请公布号 | CN101577292A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810149426.8 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金甫娟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上硅(SOI)器件，该器件具有包括硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构的绝缘体上硅基板，该绝缘体上硅器件包括：凹槽，被定于该硅层中，以暴露该埋入氧化物层；阻挡层，形成于该凹槽的侧壁；外延硅层，填充包括该阻挡层的凹槽；栅极，形成于该外延硅层上；以及结区，形成于该栅极的两侧的硅层中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||