发明名称 |
电器件及其制造方法 |
摘要 |
提供具有随电压变化的电容的电器件(10),包括半导体材料的第一区(12)及形成于第一区中的半导体材料的第二区(13)和第三区(14),第二和第三区通过隔离区隔离;形成于第一区上至少对应于隔离区的区处的电绝缘层(15);形成于绝缘层上至少对应于隔离区的区处的基本导电元件(16),以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区;与基本导电元件连接的第一电极(17);与第二和第三区连接的第二电极(18)。并公开了器件的制造方法。 |
申请公布号 |
CN100557945C |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200310116398.7 |
申请日期 |
1998.09.01 |
申请人 |
艾利森电话股份有限公司 |
发明人 |
A·利特温;S·E·马蒂松 |
分类号 |
H03B5/32(2006.01)I;H03L7/08(2006.01)I;H03L7/099(2006.01)I |
主分类号 |
H03B5/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
陈景峻;梁 永 |
主权项 |
1.一种压控振荡器(60),具有施加输入电压的输入端子和输出频率取决于输入电压的振荡信号的输出端子,该压控振荡器包括具有随电压变化的电容的至少一个电器件(10,20,30,40,V1-Vn,70,80),该电器件包括:半导体材料的第一区(12,22,32,72,82);以及形成于第一区中的半导体材料的第二区(13,23,33,73,83,91)和第三区(14,24,34,74,84,91),第二和第三区通过隔离区隔离;以及电绝缘层(15,25,35),至少于第一区上对应于隔离区的区域处形成;以及基本导电元件(16,26,36,76,86),至少于绝缘层上对应于隔离区的区域处形成,以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区;以及与基本导电元件连接的第一电极(17,27,37);以及与第二和第三区连接的第二电极(18,28,38)其特征在于第二区、第三区和基本导电元件分别构成了金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极和栅极;以及源极和漏极与导电元件对准,使得在操作中,随电压变化的耗尽层在隔离区中形成并且电容动态范围通过相应的随电压变化的耗尽层电容来取得。 |
地址 |
瑞典斯德哥尔摩 |