| 摘要 |
<p>Die zwei Gebiete (Ga1, Ga2) werden mit niederohmigen Strukturen (St1, St2) aus z.B. Silizid versehen, die nach Fertigstellung eines Zwischenoxids, das die Gebiete bedeckt, über einen Metallkontakt (K) verbunden werden. Da nach der Erzeugung des Metallkontakts (K) keine Prozeßschritte mit hohen Temperaturen erfolgen, findet keine Diffusion von Dotierstoffen zwischen den zwei Gebieten (Ga1, Ga2) über die niederohmigen Strukturen (St1, St2) statt.</p> |
