薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明是关于一种薄膜晶体管及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成栅极于基板上；依序形成绝缘层、半导体层、欧姆接触层及金属层覆盖于栅极及基板上；再形成图案化光致抗蚀剂层于栅极与栅极一侧上方的金属层上，且图案化光致抗蚀剂层具有第一部分、第二部分与第三部分，其中第一部分是用以定义为沟道区，第二部分是用以定义为源/漏极，第三部分是位于部分第二部分的一侧且远离第一部分；随后，选择性蚀刻金属层、欧姆接触层及半导体层，以定义出沟道区与源/漏极，且形成部分源/漏极电极的远离沟道区的一侧具有斜角侧边。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，是用于一显示面板，该方法包括：形成一栅极于一基板上；依序形成一绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层及一金属层覆盖于该栅极及该基板上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该栅极及该栅极一侧上方的该金属层上，该图案化光致抗蚀剂层具有至少一第一部分、至少一第二部分与至少一第三部分，其中该第一部分是用以定义为一沟道区，该第二部分是用以定义为一源/漏极，该第三部分是位于部分该第二部分的一侧且远离该第一部分，该第二部分邻接该第一部分及该第三部分，且该第二部分厚度大于该第一部分及该第三部分；以及选择性蚀刻该金属层、该欧姆接触层及该半导体层，用以定义出该沟道区与该源/漏极，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧形成至少一第一斜角的侧边，其中该选择性蚀刻该金属层、该欧姆接触层及该半导体层的步骤包括：(a)以一过蚀刻移除部分的该金属层；(b)移除该第一部分、该第三部分以及部分该第二部分的该图案化光致抗蚀剂层，以暴露位于该沟道区上方的该金属层；(c)蚀刻未被该图案化光致抗蚀剂层及该金属层所覆盖的该半导体层与该欧姆接触层至该绝缘层暴露出来为止；(d)蚀刻未被该光致抗蚀剂层所覆盖的该金属层、该欧姆接触层及该半导体层；其中步骤(b)与步骤(c)顺序可互换。