用于增强铜和阻挡层之间粘结的自组装单层

摘要

本发明的实施方式满足了在铜互连内沉积薄的和保形的阻挡层、以及铜层，使之具有良好的电子迁移性能并减小铜互连的应力诱发成孔的风险的需要。电子迁移和应力诱发成孔受阻挡层和铜层之间粘结的影响。功能化层沉积在阻挡层上，以使铜层沉积于该铜互连内。该功能化层与阻挡层和铜形成强键，以增强该两层之间的粘结属性。提供了一种示例性的制备基片的基片表面的方法，用于在铜互连的金属阻挡层上沉积功能化层，以帮助铜互连内铜层的沉积，从而提高铜互连的电子迁移性能。该方法包括沉积该金属阻挡层，以在该集成系统中内衬该铜互连结构，并氧化该金属阻挡层的表面。该方法还包括在该金属阻挡层的该氧化表面上沉积该功能化层，并在该功能化层在该金属阻挡层上被沉积后，在该铜互连结构内沉积该铜层。

主权项

1. 一种在集成系统中准备基片的基片表面，用于在铜互连的金属阻挡层上沉积功能化层，以助于在该铜互连内铜层的沉积，从而提高该铜互连的电子迁移性能的方法，该方法包括：沉积该金属阻挡层，以在该集成系统中内衬该铜互连结构；氧化该金属阻挡层的表面；在该金属阻挡层的该氧化表面上沉积该功能化层；以及在该功能化层在该金属阻挡层上被沉积后，在该铜互连结构内沉积该铜层。