发明名称 |
METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR-BASED CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR-BASED CIRCUIT COMPRISING A THREE-DIMENSIONAL CIRCUIT TOPOLOGY |
摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer halbleiterbasierten Schaltung mit dreidimensionaler Schaltungstopologie, bei dem mindestens ein Loch (11) in einem ersten Halbleitersubstrat (1) hergestellt wird, während mindestens eine metallische Erhebung (4) auf einer Oberfläche eines zweiten Halbleitersubstrats (2) hergestellt wird, wobei eine Klebstoffschicht (6) auf einer Wand (5) des mindestens einen Lochs (11) im ersten Halbleitersubstrat (1) aufgetragen wird, wonach die Halbleitersubstrate (1, 2) so zusammengefügt werden, dass die mindestens eine metallische Erhebung (4) zur Bildung einer Durchkontaktierung an der Klebstoffschicht (6) anliegend in dem mindestens einen Loch (11) im ersten Halbleitersubstrat (1) zu liegen kommt. Die Erfindung betrifft ferner eine entsprechende halbleiterbasierte Schaltung mit dreidimensionaler Schaltungstopologie.</p> |
申请公布号 |
WO2009112272(A1) |
申请公布日期 |
2009.09.17 |
申请号 |
WO2009EP01807 |
申请日期 |
2009.03.10 |
申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.;REICHL, HERBERT;WOLF, M., JUERGEN;WIELAND, ROBERT;ZOSCHKE, KAI |
发明人 |
REICHL, HERBERT;WOLF, M., JUERGEN;WIELAND, ROBERT;ZOSCHKE, KAI |
分类号 |
H01L25/065;H01L21/98;H01L23/485 |
主分类号 |
H01L25/065 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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